Batareýa dolandyryş ulgamlarynda (BMS) BJT we MOSFET-leriň arasyndaky tapawutlar

1. Bipolýar çatryk tranzistorlary (BJT):

(1) Gurluşy:BJT üç elektrodly ýarymgeçiriji enjamlar: esas, emitter we kollektor. Ilki bilen signallary güýçlendirmek ýa-da çalyşmak üçin ulanylýar. Kollektor bilen emitteriň arasynda has uly tok akymyny dolandyrmak üçin BJT-ler bazada kiçi giriş tokyny talap edýär.

(2) BMS-de işlemek: In BMSgoýmalar, BJT-ler häzirki güýçlendirmek mümkinçilikleri üçin ulanylýar. Ulgamyň içindäki akymy dolandyrmaga we sazlamaga kömek edýär, batareýalaryň zarýad berilmegini we netijeli we ygtybarly zarýad berilmegini üpjün edýär.

(3) Aýratynlyklary:BJT-leriň ýokary tok girdejisi bar we takyk tok gözegçiligini talap edýän programmalarda örän täsirli. Adatça ýylylyk şertlerine has duýgur we MOSFET-ler bilen deňeşdirilende has ýokary güýç ýaýramagyndan ejir çekip bilerler.

2. Metal-oksid-ýarymgeçiriji meýdan-täsirli tranzistorlar (MOSFET):

(1) Gurluşy:MOSFET-ler üç terminally ýarymgeçiriji enjamlar: derweze, çeşme we zeýkeş. Çeşmäniň we zeýkeşiň arasyndaky tok akymyna gözegçilik etmek üçin naprýa .eniýäni ulanýarlar we programmalary çalyşmakda ýokary netijelilik edýärler.

(2) FunksiýaBMS:BMS goýmalarynda MOSFET-ler köplenç täsirli kommutasiýa mümkinçilikleri üçin ulanylýar. Iň az garşylyk we tok ýitgisi bilen tok akymyna gözegçilik edip, çalt açyp we öçürip bilerler. Bu, batareýalary aşa zarýaddan, aşa köp zarýaddan we gysga utgaşmalardan goramak üçin ideal edýär.

(3) Aýratynlyklary:MOSFET-leriň ýokary giriş impedansy we pes garşylygy bar, bu bolsa BJT-ler bilen deňeşdirilende pes ýylylyk ýaýramagy bilen ýokary netijelidir. Aýratynam BMS-iň içinde ýokary tizlikli we ýokary netijelilik kommutasiýa programmalary üçin amatlydyr.

Gysgaça mazmun:

• BJTcurrentokary girdejisi sebäpli takyk tok gözegçiligini talap edýän programmalar üçin has gowudyr.
• MOSFETPes ýylylyk ýaýramagy bilen täsirli we çalt kommutasiýa üçin ileri tutulýar, batareýa amallaryny goramak we dolandyrmak üçin amatly bolýarBMS.